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1.
《Mendeleev Communications》2022,32(1):105-108
A mixed-metal 1D coordination polymer [CaCu(HBTC)2(H2O)8]n (where H3BTC – benzene-1,3,5-tric arboxylic acid) was obtained in a solvothermal synthesis of a well-known copper-containing metal–organic framework [Cu3(BTC)2(H2O)3]n (HKUST-1) in autoclaves 3D-printed from commercial polypropylene. This material was a source of calcium ions, apparently, leaking from a colorant (calcium carbonate) promoted by glacial acetic acid as a modulator used to produce large single crystals of HKUST-1. This finding was confirmed by elemental analysis and a model experiment that resulted in a new calcium-based 1D coordination polymer [Ca(H2BTC)2(H2O)5]n under the same solvothermal conditions with no copper or calcium salts put into a 3D-printed autoclave.  相似文献   
2.
光束发散度对紫外写入光纤光栅的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
李琳  赵岭  高侃  黄锐  方祖捷 《光学学报》2002,22(6):49-752
用傅里叶衍射光学分析了准分子激光束发散度对于光纤光栅制备的影响,发现光束发散角使光纤光栅的布拉格波长发生改变,相位版后干涉场沿光纤轴向和径向不均匀,对制备30dB高反射率光纤光栅造成困难。实验结果与理论分析基本一致,相对于理想平行光束情况,会聚光束使得光纤光栅布拉格波长出现在短波一边,发射光束使得光纤光栅布拉格波长出现在长波一边。  相似文献   
3.
报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性,X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×1020cm-3)的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变。  相似文献   
4.
Zhiguo Zhao  Kailiang Duan  Baida Lü 《Optik》2006,117(6):253-258
Based on the vectorial Rayleigh–Sommerfeld diffraction integrals, analytical expressions for the transversal and axial field distribution of plane waves propagating through a thin lens followed by a small circular aperture are derived and used to study the focusing and diffraction properties of plane waves. Some special cases of our general result are discussed, and illustrative numerical calculation results are given. It is found that the vectorial nonparaxial approach should be applied if the aperture dimension is comparable with the wavelength or the focusing is strong.  相似文献   
5.
We have studied the individual adsorption of Mn and Bi, and their coadsorption on Cu(0 0 1) by low-energy electron diffraction (LEED). For Mn, we have determined the c(2 × 2) structure formed at 300 K, whose structure had been determined by several methods. We reconfirmed by a tensor LEED analysis that it is a substitutional structure and that a previously reported large corrugation (0.30 Å) between substitutional Mn and remaining surface Cu atoms coincides perfectly with the present value. In the individual adsorption of Bi, we have found a c(4 × 2) structure, which is formed by cooling below ∼250 K a surface prepared by Bi deposition of ∼0.25 ML coverage at 300 K where streaky half-order LEED spots appear. The c(4 × 2) structure has been determined by the tensor LEED analysis at 130 K and it is a substitutional structure. In the coadsorption, we found a c(6 × 4) structure, which has been determined by the tensor LEED analysis. It is very similar to the previously determined structure of the c(6 × 4) formed by coadsorption of Mg and Bi, and embedded MnBi4 clusters are arranged in the top Cu layer instead of MgBi4. Large lateral displacements of Bi atoms in the c(6 × 4)-(Mn + Bi) suggest that the Mn atoms undergo the size-enhancement caused by their large magnetic moment.  相似文献   
6.
采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。  相似文献   
7.
利用一发散点光源和一束倾斜平行光制作出在两个垂直方向上具有不同焦距的变形全息透镜,且用此全息元件实现了变形分数傅里叶变换。变形全息透镜两个方向上的焦距随全息记录条件和再现条件而变化,分析了用这种全息透镜实现变形分数傅里叶变换的条件。实验表明,用该元件能够方便地实现任意级次的变形分数傅里叶变换。  相似文献   
8.
超声光栅实验及其多普勒频移的一种简单研究方法   总被引:5,自引:4,他引:1  
采用光子学方法,对超声光栅衍射实验和实验中出现的多普勒频移现象进行了研究,所得结论与采用光的波动性观点的惠更斯-菲涅耳原理及傅里叶变换等常规方法相同.该方法进一步加深了对衍射的本质和光的粒子性的理解并对光子的信息传递能力有初步的认识.  相似文献   
9.
10.
Diffraction in electron stimulated desorption has revealed a propensity for Cl+ desorption from rest atom vs. adatom areas and unfaulted vs. faulted zones of Cl-terminated Si(1 1 1)-(7 × 7) surfaces. We associate the 15 eV ± 1 eV threshold with ionization of Si-Cl σ-bonding surface states and formation of screened two-hole states with Si 3s character. Similar specificity is observed from A and B reconstructions. This can be due to reduced screening in unfaulted regions and increased hole localization in Si back-bonds within faulted regions.  相似文献   
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